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產業概念: |
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化合物半導體產業是正在迅速發展的高科技新興產業，這一新興產業正帶動著微波通信、移動通信、半導體照明、光通信、光存儲、能量光電子、汽車以及家電消費光電子等產業的蓬勃發展。它對于科技、能源、國防和經濟發展的重要性和緊迫性，已引起世界各國特別是發達國家和地區的高度重視，我國政府、科技界和企業界也對此極為關注。
半導體是導電性能介于導體（如金屬）與絕緣體（如陶瓷）之間的一種材料。半導體技術雖然己有50多年的發展歷史，但在未來20年的發展中，仍然生機勃勃，支撐著信息社會的進一步發展，為各國所關注。
第一代半導體是“元素半導體”，典型如硅基和鍺基半導體。其中以硅基半導體技術較成熟，應用也較廣，一般用硅基半導體來代替元素半導體的名稱。硅基半導體器件的頻率只能做到10GHz，硅基半導體集成電路芯片最小設計線寬己經達到0.13μm，到2015年，最小線寬將達到0.07μm。
第二代半導體材料是化合物半導體。化合物半導體是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵(GaN)等為代表，包括許多其它III-V族化合物半導體。其中以砷化鎵技術較成熟，應用也較廣。
化合物半導體不同於硅半導體的性質主要有二: 一是化合物半導體的電子遷移率較硅半導體快許多，因此適用于高頻傳輸，在無線電通訊如手機、基地臺、無線區域網絡、衛星通訊、衛星定位等皆有應用；二是化合物半導體具有直接帶隙，這是和硅半導體所不同的，因此化合物半導體可適用發光領域，如發光二極管(LED)、激光二極管(LD)、光接收器(PIN)及太陽能電池等產品。可用于制造超高速集成電路、微波器件、激光器、光電以及抗輻射、耐高溫等器件，對國防、航天和高技術研究具有重要意義。
目前化合物半導體器件工作頻率已經達到 100GHz，線寬達到亞微米，并帶動了異質結技術的發展，使之成為微波/毫米波的主流。通過進一步的努力，化合物半導體器件的工作頻率將可以得到進一步提高。
通過反應爐的應用和高度的自動化，實現了外延工藝的改進，從而提高了化合物半導體的產量和經濟效益。
化合物半導體產業在當前主要是指砷化鎵（族）外延磊晶片生長和IC芯片集成，氮化鎵（族）半導體照明LED和砷化鎵（族）光儲存LD外延磊晶片生長、芯片制作以及封裝、模塊的生產運營，同時還包括與之相關的廣泛的應用產業。
磊晶、芯片是化合物半導體產品的上游產業，主要是采用 MBE和MOCVD 技術生長的化合物半導體外延片，和經過制作而成的芯片。
器件是化合物半導體產品的中游產業，典型產品包括激光二極管、半導體發光二極管、探測器件、微波器件、開關元件、功率器件等等，器件封裝和組裝是關鍵技術。
應用模塊與整機是化合物半導體產品的下游產業，典型產品包括光收發模塊、微波通信產品、半導體照明產品、光存儲產品、光顯示產品等等。
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